China crea el transistor más pequeño del mundo con una puerta de 0,34 nm, que es el límite para los materiales modernos
Un grupo científico del Imperio Celestial pudo idear un diseño de transistor único. Su solución de diseño hizo posible obtener el transistor más pequeño del mundo, con una longitud de puerta de 0,34 nm.
Ya no es posible reducir aún más el tamaño de la persiana utilizando los llamados procesos tecnológicos tradicionales. Después de todo, la longitud de puerta resultante es igual al ancho de un solo átomo de carbono.
¿Cómo lograron los ingenieros lograr tal resultado?
Me gustaría decir de inmediato que, en este momento, el desarrollo de los ingenieros chinos es experimental y, hasta el momento, no puede presumir de ningún parámetro técnico sobresaliente.
Pero a pesar de esto, los ingenieros mostraron la posibilidad misma de tal concepto, así como su capacidad para reproducirse mediante procesos tecnológicos tradicionales.
Entonces, los científicos llamaron al dispositivo resultante "Sidewall Transistor". Sí, la idea misma de una orientación vertical de un canal de transistor no es nueva, e incluso Samsung e IBM la han implementado. Pero los ingenieros del Reino Medio realmente lograron sorprender a todos.
El caso es que el obturador del dispositivo resultante es un corte de una sola capa atómica de grafeno, cuyo espesor corresponde al espesor de un átomo de carbono y es igual a 0,34 nm.
Tecnología para obtener el transistor más pequeño del mundo
Entonces, para obtener un transistor de este tipo, los científicos tomaron como base un sustrato de silicio común. A continuación, sobre este sustrato se realizó un par de escalones de una aleación de titanio y paladio. Y se colocó una hoja de grafeno en el nivel superior. Y como enfatizaron los científicos, con esta colocación, no es necesaria una precisión especial.
A continuación, se colocó una capa de aluminio preoxidado en aire sobre una lámina de grafeno (el óxido actúa como aislante de la estructura).
Una vez que el aluminio está en su lugar, comienza el proceso de grabado habitual, exponiendo el borde del grafeno y el corte de la capa de aluminio.
Así se obtiene un obturador de grafeno de tan solo 0,34 nm, mientras que por encima de él se abre una lámina de aluminio que ya es capaz de formar un circuito eléctrico, pero no directamente.
En el siguiente paso, se coloca óxido de hafnio, que es un aislante, en los escalones y en la parte lateral, que, como el tiempo no permite que la puerta forme una conexión eléctrica con el resto del transistor, así como con el canal transistor.
Y ya en la capa de hafnio, se coloca dióxido de molibdeno semiconductor, que solo desempeña el papel de un canal de transistor, cuyo control se encuentra en la puerta en forma de una rebanada de grafeno.
Así, los científicos obtuvieron una estructura, cuyo grosor es igual a solo dos átomos y una puerta de un átomo. En este caso, el drenaje y la fuente de este transistor son contactos metálicos que se depositaron sobre dióxido de molibdeno.
Así fue como conseguimos conseguir el transistor más pequeño del mundo con una puerta de 0,34 nm.
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